2N457 - описание и поиск аналогов

 

2N457 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N457
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N457

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N457 - технические параметры

 0.1. Size:182K  inchange semiconductor
2n4576.pdfpdf_icon

2N457

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage The device employs the popular JEDEC TO-3 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Другие транзисторы... 2N450 , 2N451 , 2N452 , 2N453 , 2N454 , 2N456 , 2N456A , 2N456B , BD333 , 2N4576 , 2N457A , 2N457B , 2N458 , 2N458A , 2N458B , 2N459 , 2N459A .

 

 
Back to Top

 


 
.