Биполярный транзистор 2N457 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N457
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
2N457 Datasheet (PDF)
0.1. Size:182K inchange semiconductor
2n4576.pdf
2n4576.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Другие транзисторы... 2N450 , 2N451 , 2N452 , 2N453 , 2N454 , 2N456 , 2N456A , 2N456B , 2SC5200 , 2N4576 , 2N457A , 2N457B , 2N458 , 2N458A , 2N458B , 2N459 , 2N459A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050