2N4576 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4576  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO3

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2N4576 datasheet

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2N4576

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage The device employs the popular JEDEC TO-3 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

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