2N4576 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4576
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4576
2N4576 Datasheet (PDF)
1.1. 2n4576.pdf 
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isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·The device employs the popular JEDEC TO-3 ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ·High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL P
5.1. 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf Size:317K _rca
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