2N4576 Todos los transistores

 

2N4576 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4576
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N4576 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
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2N4576

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 9.1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N4576

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History: NSD123 | 2SC356

 

 
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