Биполярный транзистор 2N4576 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4576
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3
2N4576 Datasheet (PDF)
..1. Size:182K inchange semiconductor
2n4576.pdf
2n4576.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
