2N4576 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N4576  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N4576

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4576 даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 2n4576.pdf pdf_icon

2N4576

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage The device employs the popular JEDEC TO-3 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

 9.1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N4576

Другие транзисторы: 2N451, 2N452, 2N453, 2N454, 2N456, 2N456A, 2N456B, 2N457, BD333, 2N457A, 2N457B, 2N458, 2N458A, 2N458B, 2N459, 2N459A, 2N45A