MT200 Todos los transistores

 

MT200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT200
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: X016

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MT200 Datasheet (PDF)

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MT200

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MT200

PMT200EPE 70 V, P-channel Trench MOSFET 14 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

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History: 2SC2954 | NB111EI | BD370C-16 | FHC50 | AC194 | KTC5197 | MMBTSC1623G

 

 
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