MT200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MT200  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: X016

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MT200 datasheet

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MT200

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PMT200EPE 70 V, P-channel Trench MOSFET 14 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

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