Биполярный транзистор MT200 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MT200
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: X016
Аналог (замена) для MT200
MT200 Datasheet (PDF)
pmt200en.pdf

PMT200EN100 V N-channel Trench MOSFET25 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223(SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo
pmt200epe.pdf

PMT200EPE70 V, P-channel Trench MOSFET14 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D
Другие транзисторы... MT0462 , MT0463 , MT0491 , MT0492 , MT0493 , MT1075 , MT1100 , MT146 , 2SD1047 , MT3001 , MT3002 , MT3011 , MT4101 , MT4102 , MT4103 , MT4104 , MT6001 .
History: MA240 | 2T3109C | MMBT5551
History: MA240 | 2T3109C | MMBT5551



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet