MT200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT200  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: X016

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT200 даташит

 0.1. Size:213K  nxp
 pmt200en.pdf pdf_icon

MT200

PMT200EN 100 V N-channel Trench MOSFET 25 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

 0.2. Size:286K  nxp
 pmt200epe.pdf pdf_icon

MT200

PMT200EPE 70 V, P-channel Trench MOSFET 14 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

Другие транзисторы: MT0462, MT0463, MT0491, MT0492, MT0493, MT1075, MT1100, MT146, 2N2222A, MT3001, MT3002, MT3011, MT4101, MT4102, MT4103, MT4104, MT6001