MT200 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MT200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MT200
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: X016

 Аналоги (замена) для MT200

 

MT200 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:213K  nxp
 pmt200en.pdf pdf_icon

MT200

PMT200EN 100 V N-channel Trench MOSFET 25 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

 0.2. Size:286K  nxp
 pmt200epe.pdf pdf_icon

MT200

PMT200EPE 70 V, P-channel Trench MOSFET 14 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

Другие транзисторы... MT0462 , MT0463 , MT0491 , MT0492 , MT0493 , MT1075 , MT1100 , MT146 , 2N2222A , MT3001 , MT3002 , MT3011 , MT4101 , MT4102 , MT4103 , MT4104 , MT6001 .

 

 
Back to Top

 


 
.