NTE100 Todos los transistores

 

NTE100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTE100
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 24 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
 

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NTE100 Datasheet (PDF)

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NTE100

NTE106Silicon PNP TransistorSwitching TransistorAbsolute Maximum Ratings:CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15VCollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15VEmitterBase Voltage,

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