NTE100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTE100  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 24 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

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NTE100 datasheet

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NTE100

NTE106 Silicon PNP Transistor Switching Transistor Absolute Maximum Ratings Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Emitter Base Voltage,

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