NTE100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTE100  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NTE100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NTE100 даташит

 9.1. Size:24K  no
 nte106.pdf pdf_icon

NTE100

NTE106 Silicon PNP Transistor Switching Transistor Absolute Maximum Ratings Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Emitter Base Voltage,

Другие транзисторы: NSP596, NSP597, NSP598, NSP599, NSP600, NSP601, NSP602, NTC-10, 2N3906, NTE101, NTE102, NTE102A, NTE103, NTE103A, NTE104, NTE105, NTE121