TA1759 Todos los transistores

 

TA1759 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TA1759
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5

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TA1759 Datasheet (PDF)

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TA1759
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SEMICONDUCTOR KTA1759TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Breakdown Voltage.ACHGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20MAXIMUM RATING (Ta=25)C 1.70 MAXDDD 0.45+0.15/-0.10CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITKE 4.25 MAX_+F F F 1.50 0.10VCBO -400 VCollector-Base VoltageG 0.40 TYPH 1.75 MAXVC

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Spec. No. : C309N3 Issued Date : 2003.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.19 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400VBTA1759N3IC -0.3AVCESAT(TYP) -0.08VDescription High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).

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Spec. No. : C309A3-R Issued Date : 2003.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.14 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: SF123 | 2N1711-46

 

 
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