UMA8N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMA8N
Código: A8
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
Paquete / Cubierta: SC88A SOT353
Búsqueda de reemplazo de UMA8N
UMA8N Datasheet (PDF)
uma8n.pdf

UMA8N / FMA8ATransistorsTransistorsUMG5N / FMG5A(94S-781-A114Y)(94S-799-C114Y)589
ema8 uma8n fma8a.pdf

EMA8 / UMA8N / FMA8ATransistorsEmitter common (dual digital transistors)EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMTEMA8 package.( ) (3)4( )2(5) ( )11.21.6 Equivalent circuitEMA8 / UMA8N FMA8A(3) (2) (1) (3) (4) (5)ROHM : EMT5 Each lead has same dimensionsR1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2(4) (5)/(6)
Otros transistores... UMA11N , UMA1N , UMA2N , UMA3N , UMA4N , UMA5N , UMA6N , UMA7N , A733 , UMA9N , UMB10N , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , UMB3N , UMB4N .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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