UMA8N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMA8N  📄📄 

Código: A8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMA8N datasheet

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UMA8N

UMA8N / FMA8A Transistors Transistors UMG5N / FMG5A (94S-781-A114Y) (94S-799-C114Y) 589

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UMA8N

EMA8 / UMA8N / FMA8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMT EMA8 package. ( ) (3) 4 ( ) 2 (5) ( ) 1 1.2 1.6 Equivalent circuit EMA8 / UMA8N FMA8A (3) (2) (1) (3) (4) (5) ROHM EMT5 Each lead has same dimensions R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 (4) (5)/(6)

 ..3. Size:34K  rohm
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UMA8N

UMA8N / FMA Transistors Transistors UMG5N / FMG

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