UMA8N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UMA8N
   Código: A8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMA8N

UMA8N Datasheet (PDF)

..1. Size:34K rohm
uma8n.pdf

UMA8N / FMA8ATransistorsTransistorsUMG5N / FMG5A(94S-781-A114Y)(94S-799-C114Y)589

..2. Size:52K rohm
ema8 uma8n fma8a.pdf

EMA8 / UMA8N / FMA8ATransistorsEmitter common (dual digital transistors)EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMTEMA8 package.( ) (3)4( )2(5) ( )11.21.6 Equivalent circuitEMA8 / UMA8N FMA8A(3) (2) (1) (3) (4) (5)ROHM : EMT5 Each lead has same dimensionsR1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2(4) (5)/(6)

..3. Size:34K rohm
uma8n fma8a a8 sot353 sot23-5.pdf