UMA8N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMA8N  📄📄 

Маркировка: A8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMA8N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMA8N даташит

 ..1. Size:34K  rohm
 uma8n.pdf pdf_icon

UMA8N

UMA8N / FMA8A Transistors Transistors UMG5N / FMG5A (94S-781-A114Y) (94S-799-C114Y) 589

 ..2. Size:52K  rohm
 ema8 uma8n fma8a.pdf pdf_icon

UMA8N

EMA8 / UMA8N / FMA8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMT EMA8 package. ( ) (3) 4 ( ) 2 (5) ( ) 1 1.2 1.6 Equivalent circuit EMA8 / UMA8N FMA8A (3) (2) (1) (3) (4) (5) ROHM EMT5 Each lead has same dimensions R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 (4) (5)/(6)

 ..3. Size:34K  rohm
 uma8n fma8a a8 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMA8N

UMA8N / FMA Transistors Transistors UMG5N / FMG

Другие транзисторы: UMA11N, UMA1N, UMA2N, UMA3N, UMA4N, UMA5N, UMA6N, UMA7N, 2SD1047, UMA9N, UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N