UMA9N Todos los transistores

 

UMA9N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMA9N
   Código: A10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353
 

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UMA9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  rohm
 uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA9N

UMA9N / FMA9ATransistorsDigital transistor(Common Emitter Dual Transistors)UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTA114E chips in UMT andUMA9N FMA9ASMT packages.2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.12) Mounting cost and area can be cut0.80.10.95 0.950.65 0.650.7in half.(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.10~0.1(

 ..2. Size:136K  rohm
 uma9n uma9n fma9a.pdf pdf_icon

UMA9N

Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.1 0.80.10.95 0.950.65 0.65 0.7(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.1Structure 0~0.1Epitaxial planar

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History: 2N6391 | BDX53AFI | DTL1653 | 2N2767

 

 
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