UMA9N Todos los transistores

 

UMA9N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMA9N
   Código: A10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353

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UMA9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  rohm
 uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA9N

UMA9N / FMA9A Transistors Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and UMA9N FMA9A SMT packages. 2.9 0.2 2.0 0.2 1.1 +0.2 -0.1 1.9 0.2 0.9 0.1 1.3 0.1 2) Mounting cost and area can be cut 0.8 0.1 0.95 0.95 0.65 0.65 0.7 in half. (2) (3) (4) (5) (3) (1) 0 0.1 0 0.1 (

 ..2. Size:136K  rohm
 uma9n uma9n fma9a.pdf pdf_icon

UMA9N

Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A 2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.9 0.2 2.0 0.2 1.1 +0.2 -0.1 1.9 0.2 0.9 0.1 1.3 0.1 0.8 0.1 0.95 0.95 0.65 0.65 0.7 (2) (3) (4) (5) (3) (1) 0 0.1 Structure 0 0.1 Epitaxial planar

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History: KRA764F | KT644G

 

 
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