UMA9N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMA9N  📄📄 

Маркировка: A10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMA9N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMA9N даташит

 ..1. Size:64K  rohm
 uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA9N

UMA9N / FMA9A Transistors Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and UMA9N FMA9A SMT packages. 2.9 0.2 2.0 0.2 1.1 +0.2 -0.1 1.9 0.2 0.9 0.1 1.3 0.1 2) Mounting cost and area can be cut 0.8 0.1 0.95 0.95 0.65 0.65 0.7 in half. (2) (3) (4) (5) (3) (1) 0 0.1 0 0.1 (

 ..2. Size:136K  rohm
 uma9n uma9n fma9a.pdf pdf_icon

UMA9N

Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A 2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.9 0.2 2.0 0.2 1.1 +0.2 -0.1 1.9 0.2 0.9 0.1 1.3 0.1 0.8 0.1 0.95 0.95 0.65 0.65 0.7 (2) (3) (4) (5) (3) (1) 0 0.1 Structure 0 0.1 Epitaxial planar

Другие транзисторы: UMA1N, UMA2N, UMA3N, UMA4N, UMA5N, UMA6N, UMA7N, UMA8N, 2SC2073, UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N