Биполярный транзистор UMA9N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMA9N
Маркировка: A10
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMA9N Datasheet (PDF)
uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf
UMA9N / FMA9ATransistorsDigital transistor(Common Emitter Dual Transistors)UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTA114E chips in UMT andUMA9N FMA9ASMT packages.2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.12) Mounting cost and area can be cut0.80.10.95 0.950.65 0.650.7in half.(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.10~0.1(
uma9n uma9n fma9a.pdf
Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.1 0.80.10.95 0.950.65 0.65 0.7(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.1Structure 0~0.1Epitaxial planar
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS