UMB1N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMB1N  📄📄 

Código: B1

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SC-88

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UMB1N datasheet

 ..1. Size:62K  rohm
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UMB1N

UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMA1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC -50 V 0.1Min. -40 Input voltage VIN V ROHM

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