Биполярный транзистор UMB1N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMB1N
Маркировка: B1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SC-88
UMB1N Datasheet (PDF)
..1. Size:62K rohm
umb1n imb1a b1 sot363 sot23-6.pdf
umb1n imb1a b1 sot363 sot23-6.pdf
UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5ATransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package.UMA1N1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)2.1Parameter Symbol Limits UnitSupply voltage VCC -50 V0.1Min.-40Input voltage VIN V ROHM
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS