UMB1N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMB1N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMB1N
   Маркировка: B1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB1N

 

UMB1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 umb1n imb1a b1 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB1N

UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMA1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC -50 V 0.1Min. -40 Input voltage VIN V ROHM

Другие транзисторы... UMA5N , UMA6N , UMA7N , UMA8N , UMA9N , UMB10N , UMB11N , UMB16N , S8550 , UMB2N , UMB3N , UMB4N , UMB5N , UMB6N , MMUN2235LT1G , UMB8N , UMB9N .

 

 
Back to Top

 


 
.