UMB1N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMB1N  📄📄 

Маркировка: B1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMB1N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB1N даташит

 ..1. Size:62K  rohm
 umb1n imb1a b1 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB1N

UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMA1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC -50 V 0.1Min. -40 Input voltage VIN V ROHM

Другие транзисторы: UMA5N, UMA6N, UMA7N, UMA8N, UMA9N, UMB10N, UMB11N, UMB16N, S8550, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N