UMB6N Todos los transistores

 

UMB6N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMB6N
   Código: B6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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UMB6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  rohm
umb6n imb6a b6 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB6N

UMB6N / IMBTransistorsTransistorsUMH6N / IMH

 ..2. Size:61K  rohm
umb6-umb6n umb6n.pdf pdf_icon

UMB6N

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit : mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6(4) (3)( ) ( )5 2( ) ( )6 11.2 Equivalent circuit 1.6EMB6 / UMB6N(3) (2) (1)Each lead has same dimensionsR1ROHM : EMT6R2 R2DTr1DTr2R1R1=47kUMB6NR2=47k(4) (5) (6)

 0.1. Size:1233K  rohm
umb6nfha.pdf pdf_icon

UMB6N

EMB6 / UMB6NEMB6FHA / UMB6NFHADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

Otros transistores... UMB10N , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , UMB3N , UMB4N , UMB5N , B772 , MMUN2235LT1G , UMB8N , UMB9N , UMC1N , UMC2N , UMC3N , UMC4N , UMC5N .

History: CMPT5088E | ECG47 | HUN5136 | BDX64B | 2SC1645

 

 
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