UMB6N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMB6N  📄📄 

Código: B6

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC-88

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UMB6N datasheet

 ..1. Size:36K  rohm
 umb6n imb6a b6 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB6N

UMB6N / IMB Transistors Transistors UMH6N / IMH

 ..2. Size:61K  rohm
 umb6-umb6n umb6n.pdf pdf_icon

UMB6N

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6 (4) (3) ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMB6 / UMB6N (3) (2) (1) Each lead has same dimensions R1 ROHM EMT6 R2 R2 DTr1 DTr2 R1 R1=47k UMB6N R2=47k (4) (5) (6)

 0.1. Size:1233K  rohm
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UMB6N

EMB6 / UMB6N EMB6FHA / UMB6NFHA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

Otros transistores... UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, A940, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N