UMB6N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMB6N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMB6N
   Маркировка: B6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB6N

 

UMB6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  rohm
 umb6n imb6a b6 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB6N

UMB6N / IMB Transistors Transistors UMH6N / IMH

 ..2. Size:61K  rohm
 umb6-umb6n umb6n.pdf pdf_icon

UMB6N

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6 (4) (3) ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMB6 / UMB6N (3) (2) (1) Each lead has same dimensions R1 ROHM EMT6 R2 R2 DTr1 DTr2 R1 R1=47k UMB6N R2=47k (4) (5) (6)

 0.1. Size:1233K  rohm
 umb6nfha.pdf pdf_icon

UMB6N

EMB6 / UMB6N EMB6FHA / UMB6NFHA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

Другие транзисторы... UMB10N , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , UMB3N , UMB4N , UMB5N , A940 , MMUN2235LT1G , UMB8N , UMB9N , UMC1N , UMC2N , UMC3N , UMC4N , UMC5N .

History: 2SA562TMO | 2SC4563 | NB212ZJ | UMG11N | PXTA14 | CHIMH2GP | 2SB789A

 

 
Back to Top

 


 
.