Справочник транзисторов. UMB6N

 

Биполярный транзистор UMB6N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMB6N
   Маркировка: B6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB6N

 

 

UMB6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  rohm
umb6n imb6a b6 sot363 sot23-6.pdf

UMB6N

UMB6N / IMBTransistorsTransistorsUMH6N / IMH

 ..2. Size:61K  rohm
umb6-umb6n umb6n.pdf

UMB6N
UMB6N

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit : mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6(4) (3)( ) ( )5 2( ) ( )6 11.2 Equivalent circuit 1.6EMB6 / UMB6N(3) (2) (1)Each lead has same dimensionsR1ROHM : EMT6R2 R2DTr1DTr2R1R1=47kUMB6NR2=47k(4) (5) (6)

 0.1. Size:1233K  rohm
umb6nfha.pdf

UMB6N
UMB6N

EMB6 / UMB6NEMB6FHA / UMB6NFHADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top