Биполярный транзистор UMB6N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMB6N
Маркировка: B6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC-88
UMB6N Datasheet (PDF)
umb6-umb6n umb6n.pdf
EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit : mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6(4) (3)( ) ( )5 2( ) ( )6 11.2 Equivalent circuit 1.6EMB6 / UMB6N(3) (2) (1)Each lead has same dimensionsR1ROHM : EMT6R2 R2DTr1DTr2R1R1=47kUMB6NR2=47k(4) (5) (6)
umb6nfha.pdf
EMB6 / UMB6NEMB6FHA / UMB6NFHADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS