UMB9N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UMB9N
   Código: B9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC-88

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMB9N

UMB9N Datasheet (PDF)

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emb9 umb9n imb9a.pdf

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB92) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3)(5) (2)3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1)1.2interference. 1.64)

..2. Size:61K rohm
umb9n.pdf

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB9N / IMB9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Ys in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon

..3. Size:62K rohm
umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf