UMB9N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMB9N 📄📄

Código: B9

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC-88

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UMB9N datasheet

..1. Size:45K rohm
emb9 umb9n imb9a.pdf pdf_icon

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB9 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3) (5) (2) 3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1) 1.2 interference. 1.6 4)

..2. Size:61K rohm
umb9n.pdf pdf_icon

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB9N / IMB9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA114Ys in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon

..3. Size:62K rohm
umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

Otros transistores... UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, BC546, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N

UMB9N Datasheet. Equivalente