Справочник транзисторов. UMB9N

 

Биполярный транзистор UMB9N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMB9N
   Маркировка: B9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB9N

 

 

UMB9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  rohm
emb9 umb9n imb9a.pdf

UMB9N
UMB9N

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB92) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3)(5) (2)3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1)1.2interference. 1.64)

 ..2. Size:61K  rohm
umb9n.pdf

UMB9N
UMB9N

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB9N / IMB9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Ys in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon

 ..3. Size:62K  rohm
umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf

UMB9N
UMB9N

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB9N / IMB9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Ys in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top