UMB9N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMB9N  📄📄 

Маркировка: B9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMB9N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB9N даташит

 ..1. Size:45K  rohm
 emb9 umb9n imb9a.pdf pdf_icon

UMB9N

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB9 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3) (5) (2) 3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1) 1.2 interference. 1.6 4)

 ..2. Size:61K  rohm
 umb9n.pdf pdf_icon

UMB9N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB9N / IMB9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA114Ys in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon

 ..3. Size:62K  rohm
 umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMB9N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB9N / IMB9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA114Ys in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon

Другие транзисторы: UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, BC546, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N