UMG11N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMG11N  📄📄 

Código: G11

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMG11N datasheet

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UMG11N

EMG11 / UMG11N / FMG11A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG11 / UMG11N / FMG11A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMT EMG11 package. (4) (3) ( ) 2 ( ) ( ) 5 1 1.2 1.6 Equivalent circuit Each lead has same dimensions EMG11 / UMG11N FMG11A ROHM EMT5 (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 U

 ..2. Size:35K  rohm
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UMG11N

(96-384-A123J

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UMG11N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHUMG11GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-88A/SOT-353) SC-88A/SOT353 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation cu

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