UMG11N Todos los transistores

 

UMG11N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMG11N
   Código: G11
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353
 

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UMG11N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  rohm
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UMG11N

EMG11 / UMG11N / FMG11ATransistorsEmitter common (dual digital transistors)EMG11 / UMG11N / FMG11A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMTEMG11 package.(4) (3)( )2( ) ( )5 11.21.6 Equivalent circuitEach lead has same dimensionsEMG11 / UMG11N FMG11AROHM : EMT5(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2U

 ..2. Size:35K  rohm
 umg11n fmg11a g11 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG11N

(96-384-A123J

 9.1. Size:184K  chenmko
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UMG11N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHUMG11GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-88A/SOT-353)SC-88A/SOT353* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation cu

Otros transistores... PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , UMD9N , 2N4401 , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , UMG4N , UMG5N , UMG6N .

History: DMC56402 | PBSS5220T | LBC807-40WT1G | 2SC2044

 

 
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