UMG11N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMG11N  📄📄 

Маркировка: G11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMG11N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG11N даташит

 ..1. Size:55K  rohm
 emg11 umg11n fmg11a.pdf pdf_icon

UMG11N

EMG11 / UMG11N / FMG11A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG11 / UMG11N / FMG11A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMT EMG11 package. (4) (3) ( ) 2 ( ) ( ) 5 1 1.2 1.6 Equivalent circuit Each lead has same dimensions EMG11 / UMG11N FMG11A ROHM EMT5 (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 U

 ..2. Size:35K  rohm
 umg11n fmg11a g11 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG11N

(96-384-A123J

 9.1. Size:184K  chenmko
 chumg11gp.pdf pdf_icon

UMG11N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHUMG11GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-88A/SOT-353) SC-88A/SOT353 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation cu

Другие транзисторы: PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N, UMD3N, UMD6N, PDTA123EEF, UMD9N, 2SB817, PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, UMG6N