UMG4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMG4N
Código: G4
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC88A SOT353
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMG4N
UMG4N Datasheet (PDF)
emg4 umg4n fmg4a.pdf
EMG4 / UMG4N / FMG4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG4 / UMG4N / FMG4A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTEMG4package.(4) (3)(2)( ) (1)5 Equivalent circuits 1.21.6EMG4 / UMG4N FMG4A(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1ROHM : EMT5 Each lead has same dimensions(4) (5) (2) (1)R
umg4n.pdf
UMG4N DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case: SOT-353 3 2 1(3) (2) (1) Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SA1153 | 2SA1108A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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