UMG4N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMG4N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMG4N
   Маркировка: G4
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC88A SOT353

 Аналоги (замена) для UMG4N

 

UMG4N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  rohm
 emg4 umg4n fmg4a.pdf pdf_icon

UMG4N

EMG4 / UMG4N / FMG4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG4 / UMG4N / FMG4A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT EMG4 package. (4) (3) (2) ( ) (1) 5 Equivalent circuits 1.2 1.6 EMG4 / UMG4N FMG4A (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 ROHM EMT5 Each lead has same dimensions (4) (5) (2) (1) R

 ..2. Size:48K  rohm
 umg4n fmg4a g4sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG4N

(96-448-A114T)

 ..3. Size:223K  diodes
 umg4n.pdf pdf_icon

UMG4N

UMG4N DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case SOT-353 3 2 1 (3) (2) (1) Case Material Molded Plastic. UL Flammability

Другие транзисторы... PDTA123EEF , UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , 2N4401 , UMG5N , UMG6N , UMG8N , UMG9N , UMH10N , UMH11N , UMH1N , UMH2N .

History: IMH9AFRA | HEPS9149

 

 
Back to Top

 


 
.