UMG4N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMG4N  📄📄 

Маркировка: G4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMG4N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG4N даташит

 ..1. Size:42K  rohm
 emg4 umg4n fmg4a.pdf pdf_icon

UMG4N

EMG4 / UMG4N / FMG4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG4 / UMG4N / FMG4A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT EMG4 package. (4) (3) (2) ( ) (1) 5 Equivalent circuits 1.2 1.6 EMG4 / UMG4N FMG4A (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 ROHM EMT5 Each lead has same dimensions (4) (5) (2) (1) R

 ..2. Size:48K  rohm
 umg4n fmg4a g4sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG4N

(96-448-A114T)

 ..3. Size:223K  diodes
 umg4n.pdf pdf_icon

UMG4N

UMG4N DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case SOT-353 3 2 1 (3) (2) (1) Case Material Molded Plastic. UL Flammability

Другие транзисторы: PDTA123EEF, UMD9N, UMG11N, PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N, 2N4401, UMG5N, UMG6N, UMG8N, UMG9N, UMH10N, UMH11N, UMH1N, UMH2N