UMH7N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMH7N
Código: H7
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC88 SOT353
- Selección de transistores por parámetros
UMH7N Datasheet (PDF)
umh7n.pdf

UMH7NTransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMH7N External dimensions (Units : mm) Feature1) Includes two DTC143T transistors in a single UMTpackage. Absolute maximum ratings (Ta=25C) 1.25Parameter Symbol Limits Unit2.1Collector-base voltage VCBO 50 VCollector-emitter voltage VCEO 50 VEmitter-base voltage VEBO 5 V0.1Min.Collector
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BUR52 | KT6133B | RT699AM | 2STBN15D100 | 2SA555 | BDX13-5 | BCX79IX
History: BUR52 | KT6133B | RT699AM | 2STBN15D100 | 2SA555 | BDX13-5 | BCX79IX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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