UMH7N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMH7N  📄📄 

Маркировка: H7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMH7N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH7N даташит

 ..1. Size:18K  rohm
 umh7n.pdf pdf_icon

UMH7N

UMH7N Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH7N External dimensions (Units mm) Feature 1) Includes two DTC143T transistors in a single UMT package. Absolute maximum ratings (Ta=25 C) 1.25 Parameter Symbol Limits Unit 2.1 Collector-base voltage VCBO 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V Emitter-base voltage VEBO 5 V 0.1Min. Collector

Другие транзисторы: UMH10N, UMH11N, UMH1N, UMH2N, UMH3N, UMH4N, UMH5N, UMH6N, 2SC2383, UMH8N, UMH9N, UMS1N, UMS2N, UMT1006, UMT1007, UMT1008, UMT1009