UMH7N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMH7N
Маркировка: H7
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMH7N Datasheet (PDF)
umh7n.pdf
UMH7N Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH7N External dimensions (Units mm) Feature 1) Includes two DTC143T transistors in a single UMT package. Absolute maximum ratings (Ta=25 C) 1.25 Parameter Symbol Limits Unit 2.1 Collector-base voltage VCBO 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V Emitter-base voltage VEBO 5 V 0.1Min. Collector
Другие транзисторы... UMH10N , UMH11N , UMH1N , UMH2N , UMH3N , UMH4N , UMH5N , UMH6N , 2SC2383 , UMH8N , UMH9N , UMS1N , UMS2N , UMT1006 , UMT1007 , UMT1008 , UMT1009 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet


