UMS1N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMS1N  📄📄 

Código: S1

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMS1N datasheet

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 ums1n fms1a s1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMS1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMS1N / FMS1A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SA1037AK chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-421-A22) 553 Transistors UMS

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UMS1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMS1N / FMS1A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SA1037AK chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-421-A22) 553 Transistors UMS

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