UMS1N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMS1N  📄📄 

Маркировка: S1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMS1N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMS1N даташит

 ..1. Size:91K  rohm
 ums1n fms1a s1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMS1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMS1N / FMS1A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SA1037AK chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-421-A22) 553 Transistors UMS

 ..2. Size:91K  rohm
 ums1n.pdf pdf_icon

UMS1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMS1N / FMS1A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SA1037AK chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-421-A22) 553 Transistors UMS

Другие транзисторы: UMH2N, UMH3N, UMH4N, UMH5N, UMH6N, UMH7N, UMH8N, UMH9N, 2N2907, UMS2N, UMT1006, UMT1007, UMT1008, UMT1009, UMT1011, UMT1012, UMT1203