Справочник транзисторов. UMS1N

 

Биполярный транзистор UMS1N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMS1N
   Маркировка: S1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SC88A SOT353
 

 Аналог (замена) для UMS1N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMS1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  rohm
 ums1n fms1a s1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMS1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMS1N / FMS1AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SA1037AK chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-421-A22)553Transistors UMS

 ..2. Size:91K  rohm
 ums1n.pdf pdf_icon

UMS1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMS1N / FMS1AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SA1037AK chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-421-A22)553Transistors UMS

Другие транзисторы... UMH2N , UMH3N , UMH4N , UMH5N , UMH6N , UMH7N , UMH8N , UMH9N , 2SC2482 , UMS2N , UMT1006 , UMT1007 , UMT1008 , UMT1009 , UMT1011 , UMT1012 , UMT1203 .

History: NKT717 | KSC2751N | 2SA997 | IMH3AFRA | 2SC2883-O | 2SC4499L | GS109C

 

 
Back to Top

 


 
.