UMW10N Todos los transistores

 

UMW10N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMW10N
   Código: W10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 27
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMW10N

 

Principales características: UMW10N

 ..1. Size:50K  rohm
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UMW10N

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)

 ..2. Size:65K  rohm
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UMW10N

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / Transistors FMW6 / FMW10 / IMX4 High transition frequency (dual transistors) EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX4 Features 1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) High transition frequency. (fT=1.5GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF) Equivalent circuit EMX4 / UMX4N IMX4 UMW6N FMW6 UMW10 FMW10 (3) (2) (1) (4) (5

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