UMW10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMW10N  📄📄 

Маркировка: W10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 27

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMW10N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMW10N даташит

 ..1. Size:50K  rohm
 umw10n fmw10 w10 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMW10N

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)

 ..2. Size:65K  rohm
 umw10n.pdf pdf_icon

UMW10N

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / Transistors FMW6 / FMW10 / IMX4 High transition frequency (dual transistors) EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX4 Features 1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) High transition frequency. (fT=1.5GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF) Equivalent circuit EMX4 / UMX4N IMX4 UMW6N FMW6 UMW10 FMW10 (3) (2) (1) (4) (5

Другие транзисторы: UMT13009, UMT1N, UMT2003, UMT2N, UMT2OOO, UMT3584, UMT3585, UMT3N, C945, UMW1N, UMW2N, UMW6N, UMW7N, UMW8N, UMX1N, UMX2N, UMX3N