UMW10N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMW10N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMW10N
   Маркировка: W10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 27
   Корпус транзистора: SC88 SOT353

 Аналоги (замена) для UMW10N

 

UMW10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  rohm
 umw10n fmw10 w10 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMW10N

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)

 ..2. Size:65K  rohm
 umw10n.pdf pdf_icon

UMW10N

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / Transistors FMW6 / FMW10 / IMX4 High transition frequency (dual transistors) EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX4 Features 1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) High transition frequency. (fT=1.5GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF) Equivalent circuit EMX4 / UMX4N IMX4 UMW6N FMW6 UMW10 FMW10 (3) (2) (1) (4) (5

Другие транзисторы... UMT13009 , UMT1N , UMT2003 , UMT2N , UMT2OOO , UMT3584 , UMT3585 , UMT3N , C945 , UMW1N , UMW2N , UMW6N , UMW7N , UMW8N , UMX1N , UMX2N , UMX3N .

 

 
Back to Top

 


 
.