UN1222 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1222
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: M-A1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN1222
UN1222 Datasheet (PDF)
un1221 un1222 un1223 un1224.pdf
Transistors with built-in ResistorUNR1221/1222/1223/1224 (UN1221/1222/1223/1224)Unit: mmSilicon NPN epitaxial planer transistor6.90.1 2.50.1For digital circuits 1.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SA998 | 2SA1386AO
Liste
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