UN1222 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1222
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: M-A1
Búsqueda de reemplazo de UN1222
UN1222 PDF detailed specifications
un1221 un1222 un1223 un1224.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR1221/1222/1223/1224 (UN1221/1222/1223/1224) Unit mm Silicon NPN epitaxial planer transistor 6.9 0.1 2.5 0.1 For digital circuits 1.5 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing... See More ⇒
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History: PBSS5240Y | UN111H
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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