UN1222 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UN1222  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: M-A1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UN1222

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN1222 даташит

 ..1. Size:83K  panasonic
 un1221 un1222 un1223 un1224.pdf pdf_icon

UN1222

Transistors with built-in Resistor UNR1221/1222/1223/1224 (UN1221/1222/1223/1224) Unit mm Silicon NPN epitaxial planer transistor 6.9 0.1 2.5 0.1 For digital circuits 1.5 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing

Другие транзисторы: UN1218, UN1219, UN121D, UN121E, UN121F, UN121L, UN121K, UN1221, BC549, UN1223, UN1224, UN2110Q, UN2110R, UN2110S, UN2111, UN2112, UN2113