UN212Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN212Y 📄📄
Código: 7Y
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 3.1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.6 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.67
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
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UN212Y datasheet
un2121 un2122 un2123 un2124 un212x un212y.pdf
Transistors with built-in Resistor UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm +0.2 2.8 0.3 Features +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion
Otros transistores... UN211T, UN211V, UN211Z, UN2121, UN2122, UN2123, UN2124, UN212X, 2N3055, UN2210Q, UN2210R, UN2210S, UN2211, UN2212, UN2213, UN2214, UN2215Q
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: NA11HX | BSY68 | LMUN2115LT1G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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