Биполярный транзистор UN212Y Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UN212Y
Маркировка: 7Y
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.6 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.67
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23 SC59
Аналог (замена) для UN212Y
UN212Y Datasheet (PDF)
un2121 un2122 un2123 un2124 un212x un212y.pdf

Transistors with built-in ResistorUN2121/2122/2123/2124/212X/212YSilicon PNP epitaxial planer transistorFor digital circuitsUnit: mm+0.22.8 0.3Features +0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts. 1Mini type package, allowing downsizing of the equipment andautomatic insertion
Другие транзисторы... UN211T , UN211V , UN211Z , UN2121 , UN2122 , UN2123 , UN2124 , UN212X , C5198 , UN2210Q , UN2210R , UN2210S , UN2211 , UN2212 , UN2213 , UN2214 , UN2215Q .
History: DTC043EEB
History: DTC043EEB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet