BLT70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT70 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 16 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: SOT223H
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BLT70 datasheet
blt70.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT70 UHF power transistor 1996 Feb 06 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT70 FEATURES Very high efficiency Low supply voltage. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-AB c operation in the 900 MHz communication band. b DESCRIPTION
Otros transistores... BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, BLT61, S9014, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: MUN5116T1G | BLT61
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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