BLT70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLT70
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 16 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT223H

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLT70

BLT70 Datasheet (PDF)

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blt70.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT70UHF power transistor1996 Feb 06Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT70FEATURES Very high efficiency Low supply voltage.handbook, halfpage4APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-ABcoperation in the 900 MHz communication band.bDESCRIPTION

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ECG286 | MMBTA44-MS

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050