BLT70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT70
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 16 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT223H
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BLT70 Datasheet (PDF)
blt70.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT70UHF power transistor1996 Feb 06Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT70FEATURES Very high efficiency Low supply voltage.handbook, halfpage4APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-ABcoperation in the 900 MHz communication band.bDESCRIPTION
Otros transistores... BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , 2SC4793 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 .
History: NSVBC114EDXV6T1G | 2SD1470 | BC848AR | BF224 | S8050DAF-D
History: NSVBC114EDXV6T1G | 2SD1470 | BC848AR | BF224 | S8050DAF-D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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