BLT70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT70
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 16 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT223H
- Selección de transistores por parámetros
BLT70 Datasheet (PDF)
blt70.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT70UHF power transistor1996 Feb 06Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT70FEATURES Very high efficiency Low supply voltage.handbook, halfpage4APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-ABcoperation in the 900 MHz communication band.bDESCRIPTION
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: BF393P2 | AC404 | 92GE77B | FXT553SM | STN3906 | ST4044 | 2N363
History: BF393P2 | AC404 | 92GE77B | FXT553SM | STN3906 | ST4044 | 2N363



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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