BLT70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLT70
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT223H
BLT70 Datasheet (PDF)
blt70.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT70 UHF power transistor 1996 Feb 06 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT70 FEATURES Very high efficiency Low supply voltage. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-AB c operation in the 900 MHz communication band. b DESCRIPTION
Другие транзисторы... BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , S9014 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 .
History: T1890 | BLT61
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d


