BLT70 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BLT70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLT70
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT223H

 Аналоги (замена) для BLT70

 

BLT70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
blt70.pdfpdf_icon

BLT70

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT70 UHF power transistor 1996 Feb 06 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT70 FEATURES Very high efficiency Low supply voltage. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-AB c operation in the 900 MHz communication band. b DESCRIPTION

Другие транзисторы... BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , S9014 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 .

History: T1890 | BLT61

 

 
Back to Top

 


 
.