BLT70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT70  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223H

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT70 даташит

 ..1. Size:60K  philips
 blt70.pdf pdf_icon

BLT70

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT70 UHF power transistor 1996 Feb 06 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT70 FEATURES Very high efficiency Low supply voltage. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS Hand-held radio equipment in common emitter class-AB c operation in the 900 MHz communication band. b DESCRIPTION

Другие транзисторы: BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, BLT61, S9014, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12