PEMB30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PEMB30  📄📄 

Código: 2T

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT666

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PEMB30 datasheet

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PEMB30

PEMB30; PUMB30 PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 02 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN complement complement NXP JEITA PEMB30 SOT666

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PEMB30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PEMB3 PNP resistor-equipped double transistor R1 = 4.7 k , R2 = open Preliminary specification 2001 Sep 14 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped double transistor PEMB3 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6

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