PEMB30 Todos los transistores

 

PEMB30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PEMB30
   Código: 2T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT666
 

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PEMB30 Datasheet (PDF)

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PEMB30

PEMB30; PUMB30PNP/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 02 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packagesTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB30 SOT666

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PEMB30

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D744PEMB3PNP resistor-equipped doubletransistor R1 = 4.7 k, R2 = openPreliminary specification 2001 Sep 14Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped double transistorPEMB3R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6

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History: 3DD4242DM | KSC3953D | PDTA144WT | KSC1222Y | 2SB67 | 2SD2012Y | KSA992

 

 
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