PEMB30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMB30  📄📄 

Маркировка: 2T

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMB30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMB30 даташит

 ..1. Size:69K  philips
 pemb30 pumb30.pdf pdf_icon

PEMB30

PEMB30; PUMB30 PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 02 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN complement complement NXP JEITA PEMB30 SOT666

 9.1. Size:49K  philips
 pemb3.pdf pdf_icon

PEMB30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PEMB3 PNP resistor-equipped double transistor R1 = 4.7 k , R2 = open Preliminary specification 2001 Sep 14 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped double transistor PEMB3 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6

Другие транзисторы: PEMB16, PEMB17, PEMB18, PEMB19, PEMB2, PEMB20, PEMB24, PEMB3, 2SC828, PEMB4, PEMB9, PEMD10, PEMD12, PEMD13, PEMD14, PEMD15, PEMD16