PEMD6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PEMD6  📄📄 

Código: D6

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT666

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PEMD6 datasheet

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PEMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD6; PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 07 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

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