PEMD6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMD6  📄📄 

Маркировка: D6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMD6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMD6 даташит

 ..1. Size:272K  philips
 pemd6 pumd6.pdf pdf_icon

PEMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD6; PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 07 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

Другие транзисторы: PEMD19, PEMD2, PEMD20, PEMD24, PEMD3, PEMD30, PEMD4, PEMD48, 2N2222, PEMD9, PEMF21, PEMH1, PEMH10, PEMH11, PEMH13, PEMH14, PEMH15