PUMH30 Todos los transistores

 

PUMH30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMH30
   Código: *B1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMH30 Datasheet (PDF)

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PUMH30

PEMH30; PUMH30NPN/NPN double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 28 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNPcomplement complementPhilips JEITAPEMH30 SOT66

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