PUMH30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PUMH30  📄📄 

Маркировка: *B1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PUMH30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH30 даташит

 ..1. Size:72K  philips
 pemh30 pumh30.pdf pdf_icon

PUMH30

PEMH30; PUMH30 NPN/NPN double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 28 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complement Philips JEITA PEMH30 SOT66

Другие транзисторы: PUMH15, PUMH16, PUMH17, PUMH18, PUMH19, PUMH2, PUMH20, PUMH24, 2SA1837, PUMH4, PUMH7, PUMH9, PUML1, PUMT1, PUMX1, PUMZ1, PXT2222A