PUMH30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PUMH30
Маркировка: *B1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для PUMH30
PUMH30 даташит
pemh30 pumh30.pdf
PEMH30; PUMH30 NPN/NPN double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 28 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complement Philips JEITA PEMH30 SOT66
Другие транзисторы... PUMH15 , PUMH16 , PUMH17 , PUMH18 , PUMH19 , PUMH2 , PUMH20 , PUMH24 , S9014 , PUMH4 , PUMH7 , PUMH9 , PUML1 , PUMT1 , PUMX1 , PUMZ1 , PXT2222A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor

