STN83003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN83003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 4
Paquete / Cubierta: SOT223
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STN83003 Datasheet (PDF)
stn83003.pdf
STN83003High voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures High voltage capability Very high switching speed 43Application21 Electronics ballasts for fluorescent lightingSOT-223 DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high Iswitching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050