STN83003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STN83003  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STN83003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STN83003 даташит

 ..1. Size:266K  st
 stn83003.pdf pdf_icon

STN83003

STN83003 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Very high switching speed 4 3 Application 2 1 Electronics ballasts for fluorescent lighting SOT-223 Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high I switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit

Другие транзисторы: STL72, STL73, STL73D, STN690A, STN715, STN724, STN790A, STN817A, 2N3904, STN851, STN851A, STN878, STN888, STN9260, STN93003, STN951, STP03D200