RN1605 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1605
Código: XE
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT26 SC74 SM6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN1605
RN1605 Datasheet (PDF)
rn1601-rn1606.pdf
RN1601~RN1606 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1601,RN1602,RN1603 RN1604,RN1605,RN1606 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process
rn1607-rn1609.pdf
RN1607~RN1609 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1607,RN1608,RN1609 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to R
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History: 2N2552
History: 2N2552
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