RN1605 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1605  📄📄 

Маркировка: XE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1605

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1605 даташит

 9.1. Size:142K  toshiba
 rn1601-rn1606.pdf pdf_icon

RN1605

RN1601 RN1606 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1601,RN1602,RN1603 RN1604,RN1605,RN1606 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

 9.2. Size:135K  toshiba
 rn1607-rn1609.pdf pdf_icon

RN1605

RN1607 RN1609 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1607,RN1608,RN1609 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to R

Другие транзисторы: RN1509, RN1510, RN1511, RN1544, RN1601, RN1602, RN1603, RN1604, C1815, RN1606, RN1607, RN1608, RN1609, RN1610, RN1611, RN1673, RN16J1