RN1611 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN1611  📄📄 

Código: XM

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de RN1611

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RN1611 datasheet

 0.1. Size:116K  toshiba
 rn1610-rn1611.pdf pdf_icon

RN1611

RN1610,RN1611 TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) RN1610,RN1611 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2610, R

Otros transistores... RN1603, RN1604, RN1605, RN1606, RN1607, RN1608, RN1609, RN1610, BC337, RN1673, RN16J1, RN1701JE, RN1701, RN1702JE, RN1702, RN1703JE, RN1703