RN1611 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1611  📄📄 

Маркировка: XM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1611

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1611 даташит

 0.1. Size:116K  toshiba
 rn1610-rn1611.pdf pdf_icon

RN1611

RN1610,RN1611 TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) RN1610,RN1611 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2610, R

Другие транзисторы: RN1603, RN1604, RN1605, RN1606, RN1607, RN1608, RN1609, RN1610, BC337, RN1673, RN16J1, RN1701JE, RN1701, RN1702JE, RN1702, RN1703JE, RN1703