RN16J1 Todos los transistores

 

RN16J1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN16J1
   Código: 80
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT26 SC74 SM6
 

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RN16J1 Datasheet (PDF)

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RN16J1

RN16J1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN16J1 Muting Applications Unit in mmSwitching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Equivalent Circuit C R1 B 1.BASE1 (B1)2.EMITTER1 (E1) 3.COLLECTOR2 (C2) E 4.BASE2 (B2) 5.EMITTER2 (E2) 6.COLECTOR1 (C1)

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History: PDTC144VK

 

 
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