RN16J1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN16J1  📄📄 

Código: 80

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT26 SC74 SM6

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RN16J1 datasheet

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RN16J1

RN16J1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN16J1 Muting Applications Unit in mm Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Equivalent Circuit C R1 B 1.BASE1 (B1) 2.EMITTER1 (E1) 3.COLLECTOR2 (C2) E 4.BASE2 (B2) 5.EMITTER2 (E2) 6.COLECTOR1 (C1)

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