Биполярный транзистор RN16J1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN16J1
Маркировка: 80
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6
RN16J1 Datasheet (PDF)
..1. Size:178K toshiba
rn16j1 090414.pdf
rn16j1 090414.pdf
RN16J1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN16J1 Muting Applications Unit in mmSwitching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Equivalent Circuit C R1 B 1.BASE1 (B1)2.EMITTER1 (E1) 3.COLLECTOR2 (C2) E 4.BASE2 (B2) 5.EMITTER2 (E2) 6.COLECTOR1 (C1)
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS