RN16J1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN16J1  📄📄 

Маркировка: 80

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN16J1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN16J1 даташит

 ..1. Size:178K  toshiba
 rn16j1 090414.pdf pdf_icon

RN16J1

RN16J1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN16J1 Muting Applications Unit in mm Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Equivalent Circuit C R1 B 1.BASE1 (B1) 2.EMITTER1 (E1) 3.COLLECTOR2 (C2) E 4.BASE2 (B2) 5.EMITTER2 (E2) 6.COLECTOR1 (C1)

Другие транзисторы: RN1605, RN1606, RN1607, RN1608, RN1609, RN1610, RN1611, RN1673, 2SA1943, RN1701JE, RN1701, RN1702JE, RN1702, RN1703JE, RN1703, RN1704JE, RN1704