RN2511 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2511
Código: YM
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
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RN2511 Datasheet (PDF)
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RN2510,RN2511 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2510,RN2511 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including twodevices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1510, RN
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