RN2511 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2511  📄📄 

Маркировка: YM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT25 SC74A SMV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2511

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2511 даташит

 0.1. Size:112K  toshiba
 rn2510-rn2511.pdf pdf_icon

RN2511

RN2510,RN2511 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2510,RN2511 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including twodevices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1510, RN

Другие транзисторы: RN2503, RN2504, RN2505, RN2506, RN2507, RN2508, RN2509, RN2510, 2SC828, RN2601, RN2602, RN2603, RN2604, RN2605, RN2606, RN2607, RN2608